本文原作者為山東電科院專家辜超，版權(quán)屬于原作者，僅供技術(shù)交流之用，支持原創(chuàng)，在此特向原作者致敬。
一、整體變形
整體變形:整體變形Zui常見是在運(yùn)輸過程中遭受沖撞造成的，這種變形一般整體情況良好，只是線圈之間相對移動。整休變形一般不改變線圈的電感量和餅間電容，只改變線圈對地電容。所以其頻譜圖上各諧振點(diǎn)都存在，只是都向高頻方向平移。另外在遭受電動力時(shí)，如有幾根撐條受力移動位置或脫落，在受力消失后，則在原來的壓緊力的作用下向一邊偏心，同時(shí)由于電動力造成內(nèi)線圈收縮或外線圈擴(kuò)張，高低壓線圈之間的距離改變，對地電容減小，使諧振頻率均向高頻方向移動。諧振頻率的改變量在較小的變化時(shí)與變形量成正比。其頻譜圖上的Zui大特征是,各諧振峰都對應(yīng)存在,只是平移。這種變形一般引線都分別牽動, 300kHz以上將有一定的改變。
整體壓縮:線圈由于電磁力作用或制造工藝的原因，會出現(xiàn)高度尺寸上的壓縮。線圈在高度上的減小，將使線圈的總電感增加;同時(shí)使線圈餅間的電容增加。在對應(yīng)的頻譜圖上，變形相曲線將出現(xiàn)第一個(gè)諧振峰向低頻方向移動;同時(shí)第一諧振峰還將伴隨著幅值升高;中高頻部分的曲線與正常相的頻譜曲線相同。
整體拉伸:線圈出現(xiàn)固定樂板松動、墊塊失落等情況時(shí)，會出現(xiàn)高度尺寸上的拉伸。線圈在高度上的增加，將使線圈的總電感減小;同時(shí)使線圈餅間的電容下降。在對應(yīng)的頻譜圖上，變形相曲線將出現(xiàn)第一個(gè)諧振峰向高頻方向移動;同時(shí)第一諧振峰還將伴隨著幅值下降;中高頻部分的曲線與正常相的頻率曲線相同。
二、局部變形
局部變形是指線圈的總高度未發(fā)生改變，或等效直徑和線圈厚度尚未出現(xiàn)大面積的改變;只是部分線圈的尺寸分布均勻度改變，或部分線餅出現(xiàn)小程度等效直徑的改變，線圈的總電感基本不變，所以故障相和正常相的頻譜曲線在低頻段的第一個(gè)諧振峰點(diǎn)處將重合，隨著部分變形面積的大小，對應(yīng)的后續(xù)幾個(gè)諧振峰將發(fā)生位移。
局部壓縮和拉開變形:這種變形一般認(rèn)為是由于電磁作用力造成的，由于同方向的電流產(chǎn)生的斥力，在線圈兩端被壓緊時(shí)，這種斥力會將個(gè)別墊塊擠出，造成部分被擠壓，而部分被拉開。這種變形在兩端壓釘未動的條件下，一般不會牽動引線:這種變形一般只改變餅間的距離(軸向)，在等值電路中體現(xiàn)在并聯(lián)電感上的電容(餅間電容)的改變上。引線未被牽動力的條件下,頻譜的高頻部分將變化很小。線圈整體并未被壓縮，只有部分餅間距離拉開，部分餅間距離壓縮。頻譜圖上可以看到，有部分諧振峰向高頻方向移動，并伴隨著峰值下降;而有部分諧振峰向低頻方向移動，并伴隨著峰值升高。變形面積和變形程度可以通過比較諧振峰點(diǎn)明顯移動所處的位置，(第幾個(gè)峰)及諧振峰的移動量來估計(jì)分析。局部壓縮和拉開變形影響到引線時(shí)，頻譜圖的高頻部分將發(fā)生變化。局部壓縮和拉開變形程度較大時(shí)，低頻與中頻段有些諧振峰會重疊，個(gè)別峰會消失，有些諧振峰幅值升高。
匝間短路:如果線圈發(fā)生金屬性匝間短路,線圈的整體電感將會明顯下降,線圈對信號的阻礙大大減小。對應(yīng)到頻譜圖，其低頻段的諧振峰將會明顯的向高頻方向移動，同時(shí)由于阻礙減小，頻響曲線在低頻段將會向衰減減小的方向移動,即曲線上移2odB 以上;另外由于Q值下降,頻譜曲線上諧振峰谷間的差異將減少。中頻和高頻段的頻譜曲線與正常線圈的圖譜重合。
線圈斷股:線圈斷股時(shí)，線圈的整體電感將會略有增大。對應(yīng)到頻譜圖，其低頻段的諧振峰將會向低頻方向略有移動，幅值上的衰減基本不變;中頻和高頻段的頻譜曲線與正常線圈的譜圖重合。
金屬異物:在正常線圈中，如果在餅間中存在金屬異物，雖然對低頻總電感影響不大，但餅間電容將增大。頻譜曲線的低頻部分諧振峰將向低頻方向移動，中高頻部分曲線的幅值將有所升高。
引線位移:引線發(fā)生位移時(shí)，不影響電感，所以頻譜曲線的低頻段應(yīng)完全重合，只在2ookHz~5ookHz部分的曲線發(fā)生改變，主要是衰減幅值方面的變化。引線向外殼方向移動，則頻譜曲線的高頻部分向衰減增大的方向移動，曲線下移;引線向線圈靠攏，則頻譜曲線的高頻部分向衰減減小的方向移動，曲線上移。
軸向扣曲:軸向扭曲是在電動力作用下，線圈向兩端頂出，在受到兩端壓迫時(shí)，被迫從中間變形，若原變壓器的裝配間隙較大或有撐條受迫移位，則線圈在軸向扭成S形;這種變形由于兩端未變動，所以只改變了部分餅間電容和部分對地電容。屏間電容和對地電容將減小，所以頻譜曲線上將發(fā)生諧振峰向高頻方向移動，低頻附近的諧振峰值略有下降，中頻附近的諧振峰點(diǎn)頻率略有上升，而且 3ookHz~5ookHz的頻譜線基本上保持原趨勢。
線圈幅向(徑)變形:在電動力作用下，一般內(nèi)線圈是向內(nèi)收縮，由于內(nèi)撐條的限制，線圈可能發(fā)生幅向變形，其邊沿成鋸齒狀，這種變形將使電感略有減小，對地電容也略有改變，所以在整個(gè)頻率范圍內(nèi)的諧振峰均向高頻方向略有移動。外線圈的幅向變形主要是向外膨脹，變形線圈總電感將增加，但內(nèi)外線圈間的距離增大，線餅對地電容減小。所以頻譜曲線上第一個(gè)諧振峰和谷將向低頻方向移動，后面的各峰谷都將向高頻方向略有移動。
